Saludos, espero que les sea útil la siguiente información acerca de los UJT, PUT & DIAC. 

   Apellidos y Nombres: jesus javier gotto marcano .
Instituto Universitario:  Politécnico "Santiago Mariño" - Extensión Maracay.
Escuela:  #43 , Ing.Eléctrica.
Asignatura:  Electrónica Industrial, sección "EA".

EL UJT (Transistor de Unijuntura - Unijunction transistor):

  El transistor de unijuntura (UJT) formado de una sola unión PN, su funcionamiento consiste en ser un dispositivo de disparo, (esto ocurre entre el Emisor y la Base1) y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula:

 Voltaje de disparo:

 Vp = 0,7 + ƞ * VB2B1 

 Dónde:
• ƞ = Radio de separación intrínseca (dato del fabricante)
• VB2B1 =  Voltaje entre las dos bases. 

La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0,7 puede variar de 0,4 a 0,7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.  

Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.

Simbología.

Estructura.

Está constituido por un diodo que excita la union de dos resistencias internas (RB1 & RB2) que verifican la resistencia interbase (RBB = RB1+RB2)

Circuito equivalente.

      Su curva característica viene dada por los cambios de voltaje entre el Emisor y la Base1 (VEB1) , cuando esta supera el voltaje de disparo(Vp) el transistor presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa. Este es un proceso con realimentación positiva, por lo que esta región no es estable.

  

Curva característica.

Su Funcionamiento:

     Es un componente electrónico que actúa como un interruptor sensible al voltaje. A diferencia de un transistor de unión estándar, éste no amplifica las corrientes y como tal no se usa en circuitos amplificadores. En vez de eso su acción de conmutación lo vuelve útil para aplicaciones de activación y temporización. 

El punto de funcionamiento viene determinado por las caracteristicas del circuito exterior, el funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RBB mediante la tension aplicada al emisor.

Si el VE < VP = no conduce = IE=0
Si el VE ≥ VP = conduce = IE= aumenta
Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en funcion de IE

Aplicaciones:

 Las aplicaciones mas comunes suelen ser en temporizadores, osciladores, generadores de onda y mas importante aun, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIAC's.

EL PUT (Transistor de Unijuntura Programable - Programable Unijunction transistor):

 El PUT es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar común (NPN o PNP), tiene 4 capas(PNPN).

El disparo del mismo es respecto del ánodo en vez del cátodo.

Mediante un divisor de tensión resistivo se establece precisamente la tensión de disparo (tensión de pico, Vp, del PUT). 

Simbologia.

Circuito equivalente.

Curva caracteristica.

     Una curva de tensión entre el ánodo y cátodo, VAK contra la corriente en el ánodo, IA en la imagen revela una curva de característica similar a la del UJT. Por consiguiente el PUT reemplaza el UJT en muchas aplicaciones. Aunque las características del PUT y del UJT son similares, las corrientes de pico y de valle del PUT son más 

débiles que las del UJT y la tensión mínima de funcionamiento también es más pequeña en el PUT. 

Crcuito basico de polarizacion del PUT.

 Su Funcionamiento:

     El funcionamiento básico del dispositivo puede explicarse por medio de la Figura anterior.  Si el dispositivo se encuentra apagado (en corte), su estado no cambiará hasta que no se alcance la tensión VP. Durante este período a corriente es muy débil y cuando se alcanza VP el dispositivo conmuta, pasando por la región inestable, al estado de conducción (encendido). En el estado de conducción la relación entre tensión y corriente es muy pequeña (lo contrario al estado de apagado).  Una vez alcanzado el estado de conducción no puede llevarse el dispositivo al corte disminuyendo la tensión VG; solamente la reducción de IA es capaz de apagar el transistor. Una de las aplicaciones típicas del PUT es como oscilador.

  

Aplicaciones:

El PUT es utilizado como oscilador de relajación.

EL DIAC (Diodo para Corriente Alterna):

   Es un dispositivo semiconductor doble de dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor triple de voltios característico para ese dispositivo. El comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de alrededor de 30V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.

Simbología.

Circuito equivalente.

     El circuito equivalente de un DIAC consiste en cuatro transistores dispuestos. Cuando el DIAC está polarizado como en la segunda parte, la estructura PNPN, desde A1 a A2, proporciona la operación del dispositivo con cuatro capas. En el circuito equivalente, Q1 y Q2, están polarizados en directa y los Q3 y Q4, en inversa. El dispositivo opera en la porción derecha superior de la curva característica, bajo esta condición de polarización. Cuando el DIAC está polarizado como se muestra al final de la figura, la estructura PNPN, desde A2  a  A1, es la que se usa. En el circuito equivalente, los Q3 y Q4, están polarizados en directa y los Q1 y Q2, en inversa. El dispositivo opera en la porción izquierda inferior de la curva característica.
 

Curva característica.

En la curva característica se observa que cuando:

• +V o – V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto
• +V o – V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito

Sus principales características son:

• Tensión de disparo.
• Corriente de disparo.
• Tensión de simetría (ver gráfico anterior).
• Tensión de recuperación.
• Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 Watt.) 

Aplicaciones:

     Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. Un Diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control de potencia, lo que significa que servirá para controlar electrónicamente el paso de corriente eléctrica. normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del TRIAC, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable, calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.

ocilador de relajacion por medio de PUT vídeo

UJT transistor de unijuntura video

EL DIAC O DIODO PARA CORRIENTE ALTERNA vídeo