EL UJT (Transistor de Unijuntura - Unijunction transistor):

  El transistor de unijuntura (UJT) formado de una sola unión PN, su funcionamiento consiste en ser un dispositivo de disparo, (esto ocurre entre el Emisor y la Base1) y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula:

 Voltaje de disparo:

 Vp = 0,7 + ƞ * VB2B1 

 Dónde:
• ƞ = Radio de separación intrínseca (dato del fabricante)
• VB2B1 =  Voltaje entre las dos bases. 

La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0,7 puede variar de 0,4 a 0,7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.  

Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.

Simbología.

Estructura.

Está constituido por un diodo que excita la union de dos resistencias internas (RB1 & RB2) que verifican la resistencia interbase (RBB = RB1+RB2)

Circuito equivalente.

      Su curva característica viene dada por los cambios de voltaje entre el Emisor y la Base1 (VEB1) , cuando esta supera el voltaje de disparo(Vp) el transistor presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa. Este es un proceso con realimentación positiva, por lo que esta región no es estable.

  

Curva característica.

Su Funcionamiento:

     Es un componente electrónico que actúa como un interruptor sensible al voltaje. A diferencia de un transistor de unión estándar, éste no amplifica las corrientes y como tal no se usa en circuitos amplificadores. En vez de eso su acción de conmutación lo vuelve útil para aplicaciones de activación y temporización. 

El punto de funcionamiento viene determinado por las caracteristicas del circuito exterior, el funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RBB mediante la tension aplicada al emisor.

Si el VE < VP = no conduce = IE=0
Si el VE ≥ VP = conduce = IE= aumenta
Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en funcion de IE

Aplicaciones:

 Las aplicaciones mas comunes suelen ser en temporizadores, osciladores, generadores de onda y mas importante aun, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIAC's.